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IXFH22N55中文資料IXYS數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IXFH22N55
廠商型號(hào)

IXFH22N55

功能描述

HiPerFET Power MOSFET

文件大小

69.29 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-4-9 20:00:00

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IXFH22N55規(guī)格書詳情

N-Channel Enhancement Mode Avlanche Rated, High dv/dt, Low trr

Features

? International standard packages JEDEC TO-247 AD

? Low RDS (on) HDMOSTM process

? Rugged polysilicon gate cell structure

? Unclamped Inductive Switching (UIS) rated

? Low package inductance (< 5 nH) - easy to drive and to protect

? Fast intrinsic Rectifier

Applications

? Power Factor Control Circuits

? Uninterruptible Power Supplies (UPS)

? Battery chargers

? Switched-mode and resonant-mode power supplies

? DC choppers

? Temperature and lighting controls

? Low voltage relays

Advantages

? Easy to mount with 1 screw (isolated mounting screw hole)

? Space savings

? High power density

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IXFH22N55

  • 功能描述:

    MOSFET 550V 22A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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