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IXFH21N50F中文資料IXYS數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IXFH21N50F
廠商型號

IXFH21N50F

功能描述

HiPerRF Power MOSFETs

文件大小

106.56 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-3 23:00:00

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IXFH21N50F規(guī)格書詳情

HiPerRF Power MOSFETs

F-Class: MegaHertz Switching

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic Rg

High dV/dt, Low trr

Features

? RF capable MOSFETs

? Double metal process for low gate resistance

? Unclamped Inductive Switching (UIS) rated

? Low package inductance

- easy to drive and to protect

? Fast intrinsic rectifier

Applications

? DC-DC converters

? Switched-mode and resonant-mode power supplies, >500kHz switching

? DC choppers

? 13.5 MHz industrial applications

? Pulse generation

? Laser drivers

? RF amplifiers

Advantages

? Space savings

? High power density

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IXFH21N50F

  • 功能描述:

    MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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