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IXGT20N60B

HiPerFASTIGBT

VCES=600V IC25=40A VCE(sat)typ=1.7V tfi(typ)=100ns Features ?InternationalstandardpackagesJEDECTO-268surfacemountableandJEDECTO-247AD ?Highcurrenthandlingcapability ?LatestgenerationHDMOSTMprocess ?MOSGateturn-on -drivesimplicity

IXYS

IXYS Corporation

IXKC20N60C

CoolMOSPowerMOSFETinISOPLUS220Package

CoolMOS?PowerMOSFETinISOPLUS220?Package ElectricallyIsolatedBackSurface N-ChannelEnhancementMode LowRDS(on),SuperjunctionMOSFET Features ?SiliconchiponDirect-Copper-Bondsubstrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface -2500Velectricalisolation ?

IXYS

IXYS Corporation

IXKC20N60C

iscN-ChannelMOSFETTransistor

?FEATURES ?Highpowerdissipation ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤190m?@VGS=10V ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation ?APPLICATION ?DC/DCConverters ?HighCurrentSwitchingApplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IXTH20N60

MegaMOSFET

MegaMOS?FET N-ChannelEnhancementMode Features ?Internationalstandardpackages ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Lowpackageinductance(

IXYS

IXYS Corporation

IXTH20N60

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IXTM20N60

MegaMOSFET

MegaMOS?FET N-ChannelEnhancementMode Features ?Internationalstandardpackages ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Lowpackageinductance(

IXYS

IXYS Corporation

IXTM20N60

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

JCS20N60ANH

Highefficiencyswitchmodepowersupplies

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

JCS20N60CAH

Highefficiencyswitchmodepowersupplies

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

JCS20N60CAH-O-CA-N-B

Highefficiencyswitchmodepowersupplies

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IXDP20N60B

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.8V @ 15V,20A

  • 開關(guān)能量:

    900μJ(開),400μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標準

  • 測試條件:

    300V,20A,22 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-220-3

  • 描述:

    IGBT 600V 32A 140W TO220AB

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS
24+
TO-220
8866
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IXYS
23+
TO-220
8600
全新原裝現(xiàn)貨
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NA
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TO-220
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TO220AB
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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IXYS/艾賽斯
23+
TO-TO-220
44622
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
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IXYS/艾賽斯
23+
TO-220
6000
原裝正品,支持實單
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更多IXDP20N60B供應商 更新時間2025-3-26 15:30:00