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IXBX55N300

High Voltage, High Gain BiMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor

Features ?HighBlockingVoltage ?InternationalStandardPackages ?LowConductionLosses ?HighCurrentHandlingCapability ?MOSGateTurn-On-DriveSimplicity Advantages ?EasytoMount ?SpaceSavings ?HighPowerDensity Applications ?UninterruptiblePowerSupplies(UPS) ?Swit

IXYS

IXYS Corporation

IXBX55N300

Package：TO-247-3 變式；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 3000V 130A 625W PLUS247

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IXYS Corporation

IXBK55N300

HighVoltage,HighGainBiMOSFETTMMonolithicBipolarMOSTransistor

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IXYS

IXYS Corporation

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IXBX55N300

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    BIMOSFET?

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    3.2V @ 15V，55A

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3 變式

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PLUS247?-3

  • 描述：

    IGBT 3000V 130A 625W PLUS247

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多IXBX55N300供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-28 10:18:00

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