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IXBT42N300HV_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-IXYS

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原廠料號(hào)：IXBT42N300HV品牌：IXYS

資料說明：IGBT 3000V 42A 357W TO268

IXBT42N300HV是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商IXYS/IXYS Corporation生產(chǎn)封裝TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA的IXBT42N300HV晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    ixbt42n300hv

  • 規(guī)格書：

    原廠下載 下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    IXYS詳情

  • 廠商全稱：

    IXYS Corporation

  • 資料說明：

    IGBT 3000V 42A 357W TO268

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IXBT42N300HV

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    BIMOSFET?

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    3V @ 15V，42A

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    72ns/445ns

  • 測(cè)試條件：

    1500V，42A，20 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-268HV

  • 描述：

    IGBT 3000V 42A 357W TO268

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
IXYS
24+
TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
 詢價(jià)
IXYS
23+
DIP18
6000
15年原裝正品企業(yè)
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IXYS
1931+
N/A
18
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IXYS
1809+
TO-268
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IXYS
22+
NA
18
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IXYS
22+
TO268
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價(jià)
IXYS
23+
TO268
9000
原裝正品，支持實(shí)單
 詢價(jià)
IXYS
2022+
TO-268
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
 詢價(jià)
IXYS(艾賽斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾賽斯)全系列在售
 詢價(jià)
24+
N/A
78000
一級(jí)代理-主營優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇
 詢價(jià)

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