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IXBT20N360HV

High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor

Features ?HighVoltagePackages ?HighBlockingVoltage ?HighPeakCurrentCapability ?LowSaturationVoltage Advantages ?LowGateDriveRequirement ?HighPowerDensity Applications ?Switch-ModeandResonant-ModePowerSupplies ?UninterruptiblePowerSupplies(UPS) ?LaserGenera

IXYS

IXYS Corporation

IXBF20N360

HighVoltage,HighFrequency,BiMOSFETTMMonolithicBipolarMOSTransistor

Features ●SiliconChiponDirect-CopperBond(DCB)Substrate ●IsolatedMountingSurface ●4000V~ElectricalIsolation ●HighBlockingVoltage ●HighFrequencyOperation Advantages ●LowGateDriveRequirement ●HighPowerDensity Applications ●Switch-ModeandResonant-ModePowerSuppl

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IXYS Corporation

IXBH20N360HV

HighVoltage,HighGainBIMOSFETMonolithicBipolarMOSTransistor

Features ?HighVoltagePackages ?HighBlockingVoltage ?HighPeakCurrentCapability ?LowSaturationVoltage Advantages ?LowGateDriveRequirement ?HighPowerDensity Applications ?Switch-ModeandResonant-ModePowerSupplies ?UninterruptiblePowerSupplies(UPS) ?LaserGenera

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IXYS Corporation

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多IXBT20N360HV供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-25 10:00:00

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