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M02N60B	文件：221.2 Kbytes Page：5 Pages	NChannelMOSFET FEATURE RobustHighVoltageTemination. AvalancheEnergySpecified Source-toDrainDiodeRecoveryTimeComparabletoaDiscreteFastRecoveryDiode DiodeisCharacterizedforUseinBridgeCircurits IDSSandVDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature	STANSON Stanson Technology	STANSON
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PJM02N60SA	文件：1.44682 Mbytes Page：7 Pages	N-EnhancementModeFieldEffectTransistor	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半導體東莞市平晶半導體科技有限公司	PJSEMI
SDU02N60	文件：1.08613 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
SDUD02N60	文件：161.17 Kbytes Page：11 Pages	SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON).	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop

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更多ITA02N60R供應商更新時間2024-11-18 15:10:00

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