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ISPP03N60S5	文件：338.32 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor ?DESCRIPTION ?Ultralowgatecharge ?Ultraloweffectivecapacitance ?Improvedtransconductance ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤1.4? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice perf	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
SPB03N60S5	文件：251.72 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOS??PowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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SPB03N60S5	文件：1.10328 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent ?ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
SPB03N60S5	文件：552.73 Kbytes Page：12 Pages	HighPowerFactorLEDReplacementT8FluorescentTube Introduction ThisapplicationnotedescribestheprinciplesanddesignequationsrequiredforthedesignofahighbrightnessLEDlampusingtheAL9910.Theequationsarethenusedtodemonstratethedesignofauniversal,offline,highpowerfactor(PF),13WLEDlampsuitableforuseasthere	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
SPB03N60S5	文件：226.97 Kbytes Page：8 Pages	PWMhigh-efficiencyLEDdrivercontrolIC	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
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SPD03N60S5	文件：253.64 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOS??PowerTransistor Feature ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Extremedv/dtrated ?Ultraloweffectivecapacitances ?Improvedtransconductance	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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SPN03N60S5	文件：4.70297 Mbytes Page：9 Pages	NewrevolutionaryhighvoltagetechnologyUltralowgatechargeExtremedv/dtrated	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPP03N60S5	文件：362.25 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOS??PowerTransistorFeatureNewrevolutionaryhighvoltagetechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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SPP03N60S5	文件：308.41 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOS??PowerTransistor Feature ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Extremedv/dtrated ?Ultraloweffectivecapacitances ?Improvedtransconductance	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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SPU03N60S5	文件：247.3 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor ?FEATURES ?WithTO-251(IPAK)packaging ?Highspeedswitching ?Easytouse ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?Powersupply ?DC-DCconverters ?Motorcontrol ?Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
SPU03N60S5	文件：898.42 Kbytes Page：11 Pages	CoolMOSPowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon

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更多ISPP03N60S5供應商更新時間2024-12-23 9:30:00

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