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ISL9N306AS3S_VBSEMI/微碧半導(dǎo)體_MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized艾睿國(guó)際

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  • 廠(chǎng)家型號(hào)：

    ISL9N306AS3S

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠(chǎng)商：

    VBSEMI/微碧半導(dǎo)體

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    105000

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-263

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    2112+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2024-11-8 11:00:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠(chǎng)料號(hào)：ISL9N306AS3S品牌：VBsemi(臺(tái)灣微碧)

50個(gè)/管一級(jí)代理專(zhuān)營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期

  • 芯片型號(hào)：

    ISL9N306AS3ST

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    FAIRCHILD【仙童半導(dǎo)體】詳情

  • 廠(chǎng)商全稱(chēng)：

    Fairchild Semiconductor

  • 中文名稱(chēng)：

    飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    11 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    205.81 kb

  • 資料說(shuō)明：

    N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào)：

    ISL9N306AS3S

  • 功能描述：

    MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    艾睿國(guó)際（香港）有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    蔡小姐

  • 手機(jī)：

    15813737183

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話(huà)：

    15813737183

  • 地址：

    香港上環(huán)永樂(lè)街121-125號(hào)永達(dá)商業(yè)大廈3樓A室

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