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IS62WV6416ALL-55BI

64K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

DESCRIPTION TheISSIIS62WV6416ALL/IS62WV6416BLLarehigh-speed,1MbitstaticRAMsorganizedas64Kwordsby16bits.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldshigh-performanceandlowpo

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS62WV6416ALL-55BI

包裝：托盤(pán) 封裝/外殼：48-TFBGA 類(lèi)別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48MINIBGA

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS62WV6416ALL-55BI-TR

包裝：托盤(pán) 封裝/外殼：48-TFBGA 類(lèi)別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48MINIBGA

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

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IS62WV6416ALL-55B

64Kx16LOWVOLTAGE,ULTRALOWPOWERCMOSSTATICRAM

DESCRIPTION TheISSIIS62WV6416ALL/IS62WV6416BLLarehigh-speed,1MbitstaticRAMsorganizedas64Kwordsby16bits.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldshigh-performanceandlowpo

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IS62WV6416ALL-55BLI

64Kx16LOWVOLTAGE,ULTRALOWPOWERCMOSSTATICRAM

DESCRIPTION TheISSIIS62WV6416ALL/IS62WV6416BLLarehigh-speed,1MbitstaticRAMsorganizedas64Kwordsby16bits.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldshigh-performanceandlowpo

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IS62WV6416ALL-55T

64Kx16LOWVOLTAGE,ULTRALOWPOWERCMOSSTATICRAM

DESCRIPTION TheISSIIS62WV6416ALL/IS62WV6416BLLarehigh-speed,1MbitstaticRAMsorganizedas64Kwordsby16bits.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldshigh-performanceandlowpo

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS62WV6416ALL-55TI

64Kx16LOWVOLTAGE,ULTRALOWPOWERCMOSSTATICRAM

DESCRIPTION TheISSIIS62WV6416ALL/IS62WV6416BLLarehigh-speed,1MbitstaticRAMsorganizedas64Kwordsby16bits.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldshigh-performanceandlowpo

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS62WV6416ALL-55TLI

64Kx16LOWVOLTAGE,ULTRALOWPOWERCMOSSTATICRAM

DESCRIPTION TheISSIIS62WV6416ALL/IS62WV6416BLLarehigh-speed,1MbitstaticRAMsorganizedas64Kwordsby16bits.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldshigh-performanceandlowpo

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IS62WV6416ALL-55BI

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類(lèi)別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    托盤(pán)

  • 存儲(chǔ)器類(lèi)型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 異步

  • 存儲(chǔ)容量：

    1Mb（64K x 16）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字，頁(yè)：

    55ns

  • 電壓 - 供電：

    1.7V ~ 2.2V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類(lèi)型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    48-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    48-TFBGA（6x8）

  • 描述：

    IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48MINIBGA

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
ISSI, Integrated Silicon Solut
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144-TFBGA
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更多IS62WV6416ALL-55BI供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-10-31 13:02:00

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