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IS62WV5128BLL-55BLI-TR

Package：36-TFBGA；包裝：卷帶（TR） 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IS62WV5128BLL-55BI

512Kx8LOWVOLTAGE,ULTRALOWPOWERCMOSSTATICRAM

DESCRIPTION TheISSIIS62WV5128ALL/IS62WV5128BLLarehighspeed,4MbitstaticRAMsorganizedas512Kwordsby8bits.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldshighperformanceandlow

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS62WV5128BLL-55BLI

512Kx8LOWVOLTAGE,ULTRALOWPOWERCMOSSTATICRAM

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ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS62WV5128BLL-55H

512Kx8LOWVOLTAGE,ULTRALOWPOWERCMOSSTATICRAM

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ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

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IS62WV5128BLL-55H

512Kx8LOWVOLTAGE,ULTRALOWPOWERCMOSSTATICRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS62WV5128BLL-55HI

512Kx8LOWVOLTAGE,ULTRALOWPOWERCMOSSTATICRAM

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ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

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IS62WV5128BLL-55HI

512Kx8LOWVOLTAGE,ULTRALOWPOWERCMOSSTATICRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS62WV5128BLL-55HLI

512Kx8LOWVOLTAGE,ULTRALOWPOWERCMOSSTATICRAM

DESCRIPTION TheISSIIS62WV5128ALL/IS62WV5128BLLarehighspeed,4MbitstaticRAMsorganizedas512Kwordsby8bits.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldshighperformanceandlow

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS62WV5128BLL-55QLI

512Kx8LOWVOLTAGE,ULTRALOWPOWERCMOSSTATICRAM

DESCRIPTION TheISSIIS62WV5128ALL/IS62WV5128BLLarehighspeed,4MbitstaticRAMsorganizedas512Kwordsby8bits.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldshighperformanceandlow

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

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IS62WV5128BLL-55TI

512Kx8LOWVOLTAGE,ULTRALOWPOWERCMOSSTATICRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IS62WV5128BLL-55BLI-TR

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲(chǔ)器類型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 異步

  • 存儲(chǔ)容量：

    4Mb（512K x 8）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字，頁：

    55ns

  • 電壓 - 供電：

    2.5V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    36-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    36-TFBGA（6x8）

  • 描述：

    IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
ISSI
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更多IS62WV5128BLL-55BLI-TR供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-23 10:50:00

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