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IS61WV51216EDBLL-1 集成電路（IC）存儲器 ISSI/北京矽成

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原廠料號：IS61WV51216EDBLL-1品牌：ISSI

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IS61WV51216EDBLL-1是集成電路（IC） > 存儲器。制造商ISSI/ISSI, Integrated Silicon Solution Inc生產(chǎn)封裝BGA/48-TFBGA的IS61WV51216EDBLL-1存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-Wire。

  • 芯片型號：

    IS61WV51216EDBLL-1

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    ISSI【北京矽成】詳情

  • 廠商全稱：

    Integrated Silicon Solution Inc

  • 中文名稱：

    北京矽成半導(dǎo)體有限公司

  • 資料說明：

    靜態(tài)隨機存取存儲器 8M, 2.4-3.6V, 10ns 512Kx16 Asych 靜態(tài)隨機存取存儲器

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    IS61WV51216EDBLL-10BLI-TR

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 異步

  • 存儲容量：

    8Mb（512K x 16）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    10ns

  • 電壓 - 供電：

    2.4V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    48-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    48-TFBGA（6x8）

  • 描述：

    IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48MINIBGA

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳硅原半導(dǎo)體有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李運鴻

  • 手機：

    18823676336/13418911282

  • 詢價：
  • 電話：

    18823676336

  • 地址：

    深圳市龍崗區(qū)坂田街道坂雪崗大道與永香路交匯處創(chuàng)匯國際中心706

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