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IS61WV2568EDBLL-10BLI-TR

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：36-TFBGA 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36TFBGA

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS61WV2568EDBLL-10BI

256Kx8HIGHSPEEDASYNCHRONOUSCMOSSTATICRAMWITHECC

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS61WV2568EDBLL-10BLI

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ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IS61WV2568EDBLL-10BLI-TR

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 異步

  • 存儲容量：

    2Mb（256K x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字，頁：

    10ns

  • 電壓 - 供電：

    2.4V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    36-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    36-TFBGA（6x8）

  • 描述：

    IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36TFBGA

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
ISSI(美國芯成)
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更多IS61WV2568EDBLL-10BLI-TR供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-15 15:00:00

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