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IS61WV5128BLL-10KLI

512K x 8 HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

IS61WV5128BLL-10KLI

包裝：托盤 封裝/外殼：36-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV5128BLL-10KLI-TR

包裝：管件 封裝/外殼：36-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV5128BLL-10BI

512Kx8HIGH-SPEEDASYNCHRONOUSCMOSSTATICRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

IS61WV5128BLL-10BLI

512Kx8HIGH-SPEEDASYNCHRONOUSCMOSSTATICRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

IS61WV5128BLL-10TI

512Kx8HIGH-SPEEDASYNCHRONOUSCMOSSTATICRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

IS61WV5128BLL-10TLI

512Kx8HIGH-SPEEDASYNCHRONOUSCMOSSTATICRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

產品屬性

  • 產品編號：

    IS61WV5128BLL-10KLI

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術：

    SRAM - 異步

  • 存儲容量：

    4Mb（512K x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    10ns

  • 電壓 - 供電：

    1.65V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    36-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）

  • 供應商器件封裝：

    36-SOJ

  • 描述：

    IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ISSI
2023+
SOJ
53500
正品,原裝現貨
 詢價
ISSI
23+
SOJ36
35668
描述ISSI是61wv5128axx和IS61/64WV5128Bxx 非常高速，低功耗，524288字由8位CMOS靜態(tài)ram。IS61WV5128Axx和 IS61/64WV5128Bxx是用ISSI的high-制造的CMOS技術性能。這是非?？煽康挠H cess結合創(chuàng)新的電路設計技術，具有更高的性能和更低的功耗設備。當CE高(取消選擇)時
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ISSI
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只做進口原裝現貨!或訂貨,假一賠十!
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專業(yè)電子元器件供應鏈正邁科技特價代理QQ1304306553
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專營ISSI進口原裝現貨可開17增值稅票
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更多IS61WV5128BLL-10KLI供應商 更新時間2024-12-26 15:04:00

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