首頁(yè)>IS61WV25616EDALL-20BLI-TR>芯片詳情

IS61WV25616EDALL 集成電路（IC）存儲(chǔ)器 ISSI/北京矽成

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    IS61WV25616EDALL

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ISSI/北京矽成

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    4500

  • 產(chǎn)品封裝：

    BGA

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    23+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2024-12-27 18:16:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠料號(hào)：IS61WV25616EDALL品牌：ISSI

ISSI存儲(chǔ)芯片在售

  • 芯片型號(hào)：

    IS61WV25616EDALL

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    ISSI【北京矽成】詳情

  • 廠商全稱：

    Integrated Silicon Solution Inc

  • 中文名稱：

    北京矽成半導(dǎo)體有限公司

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IS61WV25616EDALL-20BLI-TR

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲(chǔ)器類型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 異步

  • 存儲(chǔ)容量：

    4Mb（256K x 16）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字，頁(yè)：

    20ns

  • 電壓 - 供電：

    1.65V ~ 2.2V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    48-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    48-TFBGA（6x8）

  • 描述：

    IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市星辰微電科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    吳先生

  • 手機(jī)：

    17375148621

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-82713279

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)紅荔路3011號(hào)上步工業(yè)區(qū)13棟上步工業(yè)區(qū)501棟501棟411

相近型號(hào)