首頁(yè) >IS43R16800E-6TL>規(guī)格書(shū)列表
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IS43R16800E-6TL | 包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:66-TSSOP(szeroko?? 0,400",10,16mm) 類別:集成電路(IC) 存儲(chǔ)器 描述:IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II | ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司 | ISSI | |
包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:66-TSSOP(szeroko?? 0,400",10,16mm) 類別:集成電路(IC) 存儲(chǔ)器 描述:IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II | ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司 | ISSI | ||
包裝:托盤(pán)托盤(pán) 封裝/外殼:66-TSSOP(szeroko?? 0,400",10,16mm) 類別:集成電路(IC) 存儲(chǔ)器 描述:IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II | ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司 | ISSI |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
IS43R16800E-6TL
- 制造商:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器
- 包裝:
卷帶(TR)
- 存儲(chǔ)器類型:
易失
- 存儲(chǔ)器格式:
DRAM
- 技術(shù):
SDRAM - DDR
- 存儲(chǔ)容量:
128Mb(8M x 16)
- 存儲(chǔ)器接口:
并聯(lián)
- 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字,頁(yè):
12ns
- 電壓 - 供電:
2.3V ~ 2.7V
- 工作溫度:
0°C ~ 70°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
66-TSSOP(szeroko?? 0,400",10,16mm)
- 供應(yīng)商器件封裝:
66-TSOP II
- 描述:
IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
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