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IS43TR85120AL-125KBLI

512Mx8, 256Mx16 4Gb DDR3 SDRAM

FEATURES ●StandardVoltage:VDDandVDDQ=1.5V±0.075V ●LowVoltage(L):VDDandVDDQ=1.35V+0.1V,-0.067V -Backwardcompatibleto1.5V ●Highspeeddatatransferrateswithsystemfrequencyupto1066MHz ●8internalbanksforconcurrentoperation ●8n-Bitpre-fetcharchitecture

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS43TR85120AL-125KBLI

Package:78-TFBGA;包裝:托盤 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43TR85120AL-125KBLI-TR

Package:78-TFBGA;包裝:托盤 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43TR85120AL-125KBL

512Mx8,256Mx164GbDDR3SDRAM

FEATURES ●StandardVoltage:VDDandVDDQ=1.5V±0.075V ●LowVoltage(L):VDDandVDDQ=1.35V+0.1V,-0.067V -Backwardcompatibleto1.5V ●Highspeeddatatransferrateswithsystemfrequencyupto1066MHz ●8internalbanksforconcurrentoperation ●8n-Bitpre-fetcharchitecture

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IS43TR85120AL-125KBLI

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    DRAM

  • 技術(shù):

    SDRAM - DDR3L

  • 存儲容量:

    4Gb(512M x 8)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字,頁:

    15ns

  • 電壓 - 供電:

    1.283V ~ 1.45V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 95°C(TC)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    78-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    78-TWBGA(9x10.5)

  • 描述:

    IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
ISSI
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免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
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只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)!!
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ISSI, Integrated Silicon Solut
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進(jìn)口原裝!長期供應(yīng)!絕對優(yōu)勢價(jià)格(誠信經(jīng)營
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ISSI, Integrated Silicon Solut
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78-TWBGA(9x10.5)
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原裝現(xiàn)貨假一罰十
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更多IS43TR85120AL-125KBLI供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-23 17:06:00