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IS42S16100C1-7BL-TR

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：60-TFBGA 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

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IS42S16100C1-7B

512KWordsx16Bitsx2Banks(16-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM

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IS42S16100C1-7BI

512KWordsx16Bitsx2Banks(16-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM

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IS42S16100C1-7BL

512KWordsx16Bitsx2Banks(16-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM

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IS42S16100C1-7BLI

512KWordsx16Bitsx2Banks(16-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM

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IS42S16100C1-7T

512KWordsx16Bitsx2Banks(16-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM

DESCRIPTION ISSI’s16MbSynchronousDRAMIS42S16100C1isorganizedasa524,288-wordx16-bitx2-bankforimprovedperformance.ThesynchronousDRAMsachievehigh-speeddatatransferusingpipelinearchitecture.Allinputsandoutputssignalsrefertotherisingedgeoftheclockinput. FEATURE

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512KWordsx16Bitsx2Banks(16-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM

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IS42S16100C1-7TI

512KWordsx16Bitsx2Banks(16-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM

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IS42S16100C1-7TL

512KWordsx16Bitsx2Banks(16-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM

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IS42S16100C1-7TL

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IS42S16100C1-7TLI

512KWordsx16Bitsx2Banks(16-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM

DESCRIPTION ISSI’s16MbSynchronousDRAMIS42S16100C1isorganizedasa524,288-wordx16-bitx2-bankforimprovedperformance.ThesynchronousDRAMsachievehigh-speeddatatransferusingpipelinearchitecture.Allinputsandoutputssignalsrefertotherisingedgeoftheclockinput. FEATURE

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512KWordsx16Bitsx2Banks(16-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IS42S16100C1-7BL-TR

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲(chǔ)器類型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    DRAM

  • 技術(shù)：

    SDRAM

  • 存儲(chǔ)容量：

    16Mb（1M x 16）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    60-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    60-TFBGA（6.4x10.1）

  • 描述：

    IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多IS42S16100C1-7BL-TR供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-18 16:30:00

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