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IRLU014

HEXFET POWER MOSFET

IRF

International Rectifier

IRLU014

Power MOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRLU014

Power MOSFET

FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Surface-mount(IRLR014,SiHLR014) ?Straightlead(IRLU014,SiHLU014) ?Availableintapeandreel ?Logic-levelgatedrive ?RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V ?Fastswitching ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.v

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRLU014

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRLU014

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRLU014N

HEXFET Power MOSFET

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p

IRF

International Rectifier

IRLU014NPBF

HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 0.14廓 , ID = 10A )

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p

IRF

International Rectifier

IRLU014PBF

Power MOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRLU014A

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IRLU014NPBF

Logic-Level Gate Drive

IRF

International Rectifier

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IRLU014

  • 功能描述：

    MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
23+
TO-251
2501
原廠原裝正品
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IR
2024+
N/A
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柒號只做原裝 現(xiàn)貨價秒殺全網(wǎng)
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TO-251
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原裝正品,假一罰十
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TO-220
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IRF
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更多IRLU014供應商 更新時間2025-4-1 15:03:00

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