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IRL3103S

Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=12mohm, Id=64A)

Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr

IRF

International Rectifier

IRL3103S

5-BIT PROGRAMMABLE SYNCHRONOUS BUCK, NON-SYNCHRONOUS,ADJUSTABLE LDO AND 200mA ON-BOARD LDO

DESCRIPTION TheIRU3007controllerICisspecificallydesignedtomeetIntelspecificationforPentiumII?microprocessorapplicationsaswellasthenextgenerationofP6familyprocessors.TheIRU3007providesasinglechipcontrollerICfortheVcore,LDOcontrollerforGTL+andaninternal20

IRF

International Rectifier

IRL3103S

Marking：D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRL3103SPBF

HEXFET? Power MOSFET

Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr

IRF

International Rectifier

IRL3103SPBF

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

IRF

International Rectifier

IRL3103SPBF_15

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

IRF

International Rectifier

IRLI3103

HEXFETPowerMOSFET

IRF

International Rectifier

IRLR3103

PowerMOSFET(Vdss=30V,Rds(on)=0.019ohm,Id=46A??

IRF

International Rectifier

IRLR3103

N-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRLR3103PBF

HEXFET?PowerMOSFET

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p

IRF

International Rectifier

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IRL3103S

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
24+
3000
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢價
IR
24+
TO-263
501458
免費送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
 詢價
IR
2024+
N/A
70000
柒號只做原裝 現(xiàn)貨價秒殺全網(wǎng)
 詢價
IR
24+
TO-263
15338
詢價
ir
05+
TO-263
15000
原裝進(jìn)口
 詢價
IR
1415+
TO-263
28500
全新原裝正品,優(yōu)勢熱賣
 詢價
IR
17+
TO-263
6200
詢價
IR
23+
TO-263
6680
全新原裝優(yōu)勢
 詢價
IR
23+
TO-263
35890
詢價
IR
2020+
TO-263
2400
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
 詢價
更多IRL3103S供應(yīng)商 更新時間2025-4-24 11:04:00

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