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IRGP50B60PD1-EP

WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

VCES=600V VCE(on)typ.=2.00V @VGE=15VIC=33A EquivalentMOSFETParameters RCE(on)typ.=61m? ID(FETequivalent)=50A Features ?NPTTechnology,PositiveTemperatureCoefficient ?LowerVCE(SAT) ?LowerParasiticCapacitances ?MinimalTailCurrent ?H

IRF

International Rectifier

IRGP50B60PD1-EP

WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

IRF

International Rectifier

IRGP50B60PD1-EP

Package：TO-3P-3 整包；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT NPT 600V 75A TO247AD

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRGP50B60PD1-EP_15

WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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AUIRGP50B60PD1

IGBT

DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.35V（Max)@IC=33A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·Ultrafasttailcurrentshutoff ·AutomotiveChargers ·HighVoltageAuxiliaries

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

AUIRGP50B60PD1

WARP2SERIESIGBTWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

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InfineonInfineon Technologies AG

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AUIRGP50B60PD1E

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InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IRGP50B60PD1-EP

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.85V @ 15V，50A

  • 開關(guān)能量：

    255μJ（開），375μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    30ns/130ns

  • 測(cè)試條件：

    390V，33A，3.3 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-3P-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247AD

  • 描述：

    IGBT NPT 600V 75A TO247AD

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
Infineon
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更多IRGP50B60PD1-EP供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-25 10:18:00

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