IRGP30B120KD-EP 分立半導體產品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINEON/英飛凌

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1+	面議

廠家型號：
IRGP30B120KD-EP
產品分類：
芯片
生產廠商：
INFINEON/IR
庫存數量：
4050
產品封裝：
NA
生產批號：
1907+
庫存類型：
熱賣庫存
更新時間：
2025-1-11 19:20:00

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原廠料號：IRGP30B120KD-EP品牌：INFINEON/IR

20年老字號,原裝優(yōu)勢長期供貨

IRGP30B120KD-EP是分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商INFINEON/IR/Infineon Technologies生產封裝NA/TO-247-3的IRGP30B120KD-EP晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

芯片型號：
IRGP30B120KD-EP
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡稱：
IRF詳情
廠商全稱：
International Rectifier
內容頁數：
13 頁
文件大?。?/span>
174.28 kb
資料說明：
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

產品屬性

類型
描述
產品編號：
IRGP30B120KD-EP
制造商：
Infineon Technologies
類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
包裝：
卷帶（TR）
IGBT 類型：
NPT
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
4V @ 15V，60A
開關能量：
1.07mJ（開），1.49mJ（關）
輸入類型：
標準
測試條件：
600V，25A，5 歐姆，15V
工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-247-3
供應商器件封裝：
TO-247AD
描述：
IGBT 1200V 60A 300W TO247AD

供應商

企業(yè)：
深圳市品優(yōu)時代科技有限公司
商鋪：
進入商鋪
聯(lián)系人：
黃小姐
手機：
18025335698
詢價：
電話：
0755-23612326\18025335698
傳真：
0755-23612326
地址：
深圳市福田區(qū)振興路華康大廈2棟,402-419

IRGP30B120KD-EP 分立半導體產品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINEON/英飛凌

IRGP30B120KD-EP

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