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IRGB4620DPBF分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRGB4620DPBF
廠商型號

IRGB4620DPBF

參數(shù)屬性

IRGB4620DPBF 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為散裝;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 32A 140W TO220

功能描述

Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode
IGBT 600V 32A 140W TO220

文件大小

971.84 Kbytes

頁面數(shù)量

17

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-3 18:04:00

IRGB4620DPBF規(guī)格書詳情

IRGB4620DPBF屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IRGB4620DPBF晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

Features

? ?Low VCE(ON) and switching losses

? ?Square RBSOA and maximum junction temperature 175°C

? ?Positive VCE (ON) temperature coefficient

? ?5μs Short Circuit SOA

? ?Lead-Free, RoHS Compliant

Benefits

? ?High efficiency in a wide range of applications and switching

? ? ? frequencies

? ?Improved reliability due to rugged hard switching

? ? ? performance and high power capability

? ?Excellent current sharing in parallel operation

? ?Enables short circuit protection scheme

? ?Environmentally friendly

Applications

? Industrial Motor Drive

? Inverters

? UPS

? Welding

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IRGB4620DPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    散裝

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    1.85V @ 15V,12A

  • 開關能量:

    75μJ(開),225μJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    31ns/83ns

  • 測試條件:

    400V,12A,22 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-220AC

  • 描述:

    IGBT 600V 32A 140W TO220

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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