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IRGB430U中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRGB430U
廠商型號

IRGB430U

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=15A)

文件大小

253.25 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2024-11-16 20:00:00

IRGB430U規(guī)格書詳情

Description

Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) from International Rectifier have higher usable current densities than comparable bipolar transistors, while at the same time having simpler gate-drive requirements of the familiar power MOSFET. They provide substantial benefits to a host of high-voltage, high-current applications.

Features

? Switching-loss rating includes all tail losses

? Optimized for high operating frequency (over

5kHz) See Fig. 1 for Current vs. Frequency curve

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRGB430U

  • 制造商:

    IRF

  • 制造商全稱:

    International Rectifier

  • 功能描述:

    Fit Rate/Equivalent Device Hours

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
IR
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