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IRGB4620DPBF分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRGB4620DPBF
廠商型號(hào)

IRGB4620DPBF

參數(shù)屬性

IRGB4620DPBF 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 32A 140W TO220

功能描述

Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

714.86 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

14 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-29 14:54:00

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IRGB4620DPBF規(guī)格書詳情

Features

Low VCE(ON) and switching losses

Square RBSOA and maximum junction temperature 175°C

Positive VCE (ON) temperature coefficient and tight

distribution of parameters

5μs Short Circuit SOA

Lead-Free, RoHS Compliant

Benefits

High efficiency in a wide range of applications and switching

Improved reliability due to rugged hard switching

performance and high power capability

Excellent current sharing in parallel operation

Enables short circuit protection scheme

Environmentally friendly

Applications

? Appliance Drive

? Inverters

? UPS

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IRGB4620DPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    散裝

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    1.85V @ 15V,12A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    75μJ(開(kāi)),225μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    31ns/83ns

  • 測(cè)試條件:

    400V,12A,22 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220AC

  • 描述:

    IGBT 600V 32A 140W TO220

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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