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IRGB4062DPBF分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

IRGB4062DPBF
廠(chǎng)商型號(hào)

IRGB4062DPBF

參數(shù)屬性

IRGB4062DPBF 封裝/外殼為T(mén)O-220-3;包裝為卷帶(TR);類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT TRENCH 600V 48A TO220AB

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

421.5 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

13 頁(yè)

生產(chǎn)廠(chǎng)商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

IRF

中文名稱(chēng)

International Rectifier官網(wǎng)

原廠(chǎng)標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-5 18:14:00

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IRGB4062DPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • IGBT 類(lèi)型:

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    1.95V @ 15V,24A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    115μJ(開(kāi)),600μJ(關(guān))

  • 輸入類(lèi)型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    41ns/104ns

  • 測(cè)試條件:

    400V,24A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220AB

  • 描述:

    IGBT TRENCH 600V 48A TO220AB

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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