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IRGB30B60K分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
IRGB30B60K |
參數(shù)屬性 | IRGB30B60K 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 78A 370W TO220AB |
功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
文件大小 |
328.22 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
13 頁 |
生產(chǎn)廠商 | International Rectifier |
企業(yè)簡稱 |
IRF |
中文名稱 | International Rectifier官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2024-12-24 20:00:00 |
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更多IRGB30B60K規(guī)格書詳情
Features
? Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.
? 10μs Short Circuit Capability.
? Square RBSOA.
? Positive VCE (on) Temperature Coefficient.
? Maximum Junction Temperature rated at 175°C.
Benefits
? Benchmark Efficiency for Motor Control.
? Rugged Transient Performance.
? Low EMI.
? Excellent Current Sharing in Parallel Operation.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
IRGB30B60K
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
卷帶(TR)
- IGBT 類型:
NPT
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2.35V @ 15V,30A
- 開關(guān)能量:
350μJ(開),825μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準
- 25°C 時 Td(開/關(guān))值:
46ns/185ns
- 測試條件:
400V,30A,10 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-220AB
- 描述:
IGBT 600V 78A 370W TO220AB
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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