IRG7PG35UPBF 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINEON/英飛凌

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廠(chǎng)家型號(hào)：
IRG7PG35UPBF
產(chǎn)品分類(lèi)：
芯片
生產(chǎn)廠(chǎng)商：
INFINEON/英飛凌
庫(kù)存數(shù)量：
9350
產(chǎn)品封裝：
TO-247-3
生產(chǎn)批號(hào)：
24+
庫(kù)存類(lèi)型：
常用庫(kù)存
更新時(shí)間：
2024-11-17 15:30:00

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原廠(chǎng)料號(hào)：IRG7PG35UPBF品牌：Infineon Technologies

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IRG7PG35UPBF是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商Infineon Technologies生產(chǎn)封裝TO-247-3的IRG7PG35UPBF晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

芯片型號(hào)：
IRG7PG35UPBF
規(guī)格書(shū)：
下載下載2
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：
IRF詳情
廠(chǎng)商全稱(chēng)：
International Rectifier
內(nèi)容頁(yè)數(shù)：
11 頁(yè)
文件大小：
427.21 kb
資料說(shuō)明：
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

產(chǎn)品屬性

類(lèi)型
描述
產(chǎn)品編號(hào)：
IRG7PG35UPBF
制造商：
Infineon Technologies
類(lèi)別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
包裝：
管件
IGBT 類(lèi)型：
溝道
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，20A
開(kāi)關(guān)能量：
1.06mJ（開(kāi)），620μJ（關(guān)）
輸入類(lèi)型：
標(biāo)準(zhǔn)
25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：
30ns/160ns
測(cè)試條件：
600V，20A，10 歐姆，15V
工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類(lèi)型：
通孔
封裝/外殼：
TO-247-3
供應(yīng)商器件封裝：
TO-247AC
描述：
IGBT 1000V 55A 210W TO247AC

供應(yīng)商

企業(yè)：
深圳市宏捷佳電子科技有限公司
商鋪：
進(jìn)入商鋪
聯(lián)系人：
許小姐
手機(jī)：
13530520535
詢(xún)價(jià)：
電話(huà)：
0755-83201583/83214703
傳真：
0755-22669259
地址：
福田區(qū)華強(qiáng)北路上步工業(yè)區(qū)102棟620室

IRG7PG35UPBF 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINEON/英飛凌

IRG7PG35UPBF

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