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IRG4BC20U分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRG4BC20U
廠商型號

IRG4BC20U

參數(shù)屬性

IRG4BC20U 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 13A 60W TO220AB

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=6.5A)

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

167.82 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-6-5 20:37:00

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IRG4BC20U規(guī)格書詳情

Features

? UltraFast: optimized for high operating

frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200

kHz in resonant mode

? Generation 4 IGBT design provides tighter

parameter distribution and higher efficiency than

Generation 3

? Industry standard TO-220AB package

Benefits

? Generation 4 IGBTs offer highest efficiency available

? IGBTs optimized for specified application conditions

? Designed to be a drop-in replacement for equivalent

industry-standard Generation 3 IR IGBTs

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IRG4BC20U

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,6.5A

  • 開關(guān)能量:

    100μJ(開),120μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    21ns/86ns

  • 測試條件:

    480V,6.5A,50 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220AB

  • 描述:

    IGBT 600V 13A 60W TO220AB

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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