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IRG4BC20KD-S
廠商型號

IRG4BC20KD-S

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A)

文件大小

222.96 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-1 23:00:00

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IRG4BC20KD-S規(guī)格書詳情

Short Circuit Rated UltraFast IGBT

Features

? Short Circuit Rated UltraFast: Optimized for high operating frequencies >5.0 kHz , and Short Circuit Rated to 10μs @ 125°C, VGE = 15V

? Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generation

? IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations

? Industry standard D2Pak package

Benefits

? Latest generation 4 IGBTs offer highest power density motor controls possible.

? HEXFRED? diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristics reduce noise, EMI and switching losses.

? This part replaces the IRGBC20KD2-S and IRGBC20MD2-S products.

? For hints see design tip 97003.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRG4BC20KD-S

  • 功能描述:

    IGBT UFAST 600V 16A D2PAK

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路

  • 系列:

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    30

  • 系列:

    GenX3™ IGBT

  • 類型:

    PT 電壓 -

  • 集電極發(fā)射極擊穿(最大):

    1200V Vge,

  • Ic時的最大Vce(開):

    3V @ 15V,100A 電流 -

  • 集電極(Ic)(最大):

    200A 功率 -

  • 最大:

    830W

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    PLUS247?-3

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IR
21+
TO-263
30490
原裝現(xiàn)貨庫存
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NA/
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35890
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原裝正品
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