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IRG4BC20KD分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRG4BC20KD
廠商型號

IRG4BC20KD

參數(shù)屬性

IRG4BC20KD 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 16A 60W TO220AB

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A)

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

199.06 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-1 23:00:00

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IRG4BC20KD規(guī)格書詳情

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features

?Short Circuit Rated UltraFast: Optimized for high operating frequencies >5.0 kHz , and Short

Circuit Rated to 10μs @ 125°C, VGE= 15V

?Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than

previous generation

?IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in

bridge configurations

?Industry standard TO-220AB package

Benefits

?Latest generation 4 IGBTs offer highest power density motor controls possible

?HEXFREDTM diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristics reduce noise, EMI and switching losses

?This part replaces the IRGBC20KD2 and IRGBC20MD2 products

?For hints see design tip 97003

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IRG4BC20KD

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.8V @ 15V,9A

  • 開關(guān)能量:

    340μJ(開),300μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    54ns/180ns

  • 測試條件:

    480V,9A,50 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220AB

  • 描述:

    IGBT 600V 16A 60W TO220AB

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票
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