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IRG4BC10SDPBF分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

IRG4BC10SDPBF
廠商型號(hào)

IRG4BC10SDPBF

參數(shù)屬性

IRG4BC10SDPBF 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 14A 38W TO220AB

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

267.75 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-3 22:59:00

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IRG4BC10SDPBF規(guī)格書(shū)詳情

Standard Speed CoPack IGBT

Features

? Extremely low voltage drop 1.1Vtyp. @ 2A

? S-Series: Minimizes power dissipation at up to 3 KHz PWM frequency in inverter drives, up to 4 KHz in brushless DC drives.

? Very Tight Vce(on) distribution

? IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations

? Industry standard TO-220AB package

? Lead-Free

Benefits

? Generation 4 IGBTs offer highest efficiencies available

? IGBTs optimized for specific application conditions

? HEXFRED diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristics require less/no snubbing

? Lower losses than MOSFETs conduction and Diode losses

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IRG4BC10SDPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    1.8V @ 15V,8A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    310μJ(開(kāi)),3.28mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    76ns/815ns

  • 測(cè)試條件:

    480V,8A,100 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220AB

  • 描述:

    IGBT 600V 14A 38W TO220AB

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IR
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NA/
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優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開(kāi)增值稅票
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