首頁(yè)>IRG4BC10SDPBF>詳情

IRG4BC10SDPBF 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 IRF

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    IRG4BC10SDPBF

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    IRF/International Rectifier

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    1

  • 產(chǎn)品封裝：

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    2022+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2024-11-16 9:50:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠料號(hào)：IRG4BC10SDPBF品牌：International Rectifier

全新原裝 貨期兩周

  • 芯片型號(hào)：

    IRG4BC10SDPBF

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    IRF詳情

  • 廠商全稱：

    International Rectifier

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    10 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    267.75 kb

  • 資料說(shuō)明：

    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IRG4BC10SDPBF

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    1.8V @ 15V，8A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    310μJ（開(kāi)），3.28mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    76ns/815ns

  • 測(cè)試條件：

    480V，8A，100 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220AB

  • 描述：

    IGBT 600V 14A 38W TO220AB

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    上海市鑫鴻達(dá)電子

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    楊小姐/張先生

  • 手機(jī)：

    13701726215

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    021-51872153/51872165

  • 傳真：

    021-51686317

  • 地址：

    上海市黃浦區(qū)北京東路668號(hào)科技京城

相近型號(hào)