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IRFU12N25DPBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
IRFU12N25DPBF |
| 功能描述 | HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 250V , RDS(on)max = 0.26廓 , ID = 14A ) |
| 文件大小 |
230.13 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
11 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | International Rectifier |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
IRF |
| 中文名稱 | International Rectifier官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2024-12-23 19:46:00 |
IRFU12N25DPBF規(guī)格書詳情
Benefits
● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses
● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001)
● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
Applications
● High frequency DC-DC converters
● Lead-Free
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRFU12N25DPBF
- 功能描述：
MOSFET N-CH 250V 14A I-PAK
- RoHS：
是
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
08+ |
TO-251 |
990 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
FAIRCHILD |
23+ |
TO-251 |
9526 |
詢價(jià) | |||
IR |
24+ |
TO-251 |
753 |
詢價(jià) | |||
IR/FSC |
23+ |
TO-251 |
9500 |
專業(yè)優(yōu)勢(shì)供應(yīng) |
詢價(jià) | ||
仙童 |
06+ |
TO-251 |
5000 |
原裝 |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
22+ |
TO2513 Short Leads IPak TO251A |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | ||
IR |
2023+ |
TO-251 |
4675 |
全新原廠原裝產(chǎn)品、公司現(xiàn)貨銷售 |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
23+ |
TO2513 Short Leads IPak TO251A |
9000 |
原裝正品，支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
IR |
22+ |
I-PAK |
25000 |
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單 |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原裝 |
7000 |
詢價(jià) |
