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IRFR430ATRR	文件：158.34 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFR430ATRR	文件：2.67839 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR430ATRRA	文件：2.67795 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
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IRFR430ATRRPBF	文件：158.34 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
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IRFR430B	文件：674.37 Kbytes Page：9 Pages	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
IRFS430	文件：265.72 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFU430A	文件：118.1 Kbytes Page：10 Pages	SMPSMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFU430A	文件：158.34 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
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IRFU430A	文件：315.96 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFU430A	文件：2.318 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
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IRFU430A	文件：267.41 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement ?Improvedgate,avalanche,anddynamic dV/dtruggedness ?Fullycharacterizedcapacitanceand avalanchevoltageandcurrent ?EffectiveCossspecified ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFU430APBF	文件：298.83 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF

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詳細參數(shù)

型號：
IRFR430ATRR
功能描述：
MOSFET N-Chan 500V 5.0 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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