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IRFU430APBF	文件：298.83 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFU430APBF	文件：158.34 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFU430APBF	文件：2.318 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU430APBF	文件：2.67839 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU430APBF	文件：2.67839 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU430APBF	文件：2.67795 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU430APBF	文件：2.0416 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650V (D-S)Power MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
IRFU430APBF	文件：267.4 Kbytes Page：13 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFU430B	文件：674.37 Kbytes Page：9 Pages	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRFY430	文件：18.44 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETFORHI-RELAPPLICATIONS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFY430C	文件：14.79 Kbytes Page：1 Pages	N-ChannelMOSFETinaHermeticallysealedTO257ABMetalPackage.	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFY430C	文件：172.3 Kbytes Page：7 Pages	POWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-257AA) POWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-257AA) HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.HEXFETtransistorsalsofeatureallofthewell-e	IRF International Rectifier	IRF
IRFY430C	文件：217.04 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFY430CM	文件：280.02 Kbytes Page：6 Pages	POWERMOSFETN-CHANNEL(BVdss=500V,Rd(on)=1.5ohm,Id=4.5A) POWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-257AA) HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.HEXFETtransistorsalsofeatureallofthewell-e	IRF International Rectifier	IRF
IRFY430M	文件：18.44 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETFORHI-RELAPPLICATIONS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRGB430	文件：253.25 Kbytes Page：6 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=500V,@Vge=15V,Ic=15A) Description InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)fromInternationalRectifierhavehigherusablecurrentdensitiesthancomparablebipolartransistors,whileatthesametimehavingsimplergate-driverequirementsofthefamiliarpowerMOSFET.Theyprovidesubstantialbenefitstoahostof	IRF International Rectifier	IRF
IRGB430U	文件：253.25 Kbytes Page：6 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=500V,@Vge=15V,Ic=15A) Description InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)fromInternationalRectifierhavehigherusablecurrentdensitiesthancomparablebipolartransistors,whileatthesametimehavingsimplergate-driverequirementsofthefamiliarpowerMOSFET.Theyprovidesubstantialbenefitstoahostof	IRF International Rectifier	IRF
IRGB430U	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRF International Rectifier	IRF
IRGP430U	文件：256.41 Kbytes Page：6 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=500V,@Vge=15V,Ic=15A) Description InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)fromInternationalRectifierhavehigherusablecurrentdensitiesthancomparablebipolartransistors,whileatthesametimehavingsimplergate-driverequirementsofthefamiliarpowerMOSFET.Theyprovidesubstantialbenefitstoahostof	IRF International Rectifier	IRF
IRGP430U	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRF International Rectifier	IRF

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詳細參數(shù)

型號：
IRFU430APBF
功能描述：
MOSFET N-Chan 500V 5.0 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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