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零件編號(hào)	下載&訂購(gòu)	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
IRFR420TRR	文件：4.27854 Mbytes Page：7 Pages	Dynamic dV/dt Rating	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR420TRRPBFA	文件：1.24746 Mbytes Page：13 Pages	Power MOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Surface-mount(IRFR420,SiHFR420) ?Straightlead(IRFU420,SiHFU420) ?Availableintapeandreel ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?9	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFU420	文件：55.18 Kbytes Page：7 Pages	2.5A,500V,3.000Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs 2.5A,500V,3.000Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.Allofthesepow	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFU420	文件：170.89 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)=3.0ohm,Id=2.4A) Description ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheD-PAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thes	IRF International Rectifier	IRF
IRFU420	文件：1.88411 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFU420	文件：4.40019 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU420	文件：4.27854 Mbytes Page：7 Pages	DynamicdV/dtRating	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU420	文件：4.27848 Mbytes Page：7 Pages	DynamicdV/dtRating DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU420	文件：316.33 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ?Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneralpurposeapplications. FEATURES ?DrainCurrent–ID=2.4A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage-:VDSS=500V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance:RDS(on)=3.0Ω(Max) ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFU420	文件：1.24746 Mbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Surface-mount(IRFR420,SiHFR420) ?Straightlead(IRFU420,SiHFU420) ?Availableintapeandreel ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?9	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFU420A	文件：114.51 Kbytes Page：10 Pages	SMPSMOSFET HEXFET?PowerMOSFET Applications ?SwitchModePowerSupply(SMPS) ?UninterruptiblePowerSupply ?Highspeedpowerswitching Benefits ?LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness ?FullyCharacterize	IRF International Rectifier	IRF
IRFU420A	文件：167.69 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ?EffectiveCossSpecified ?Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS ?SwitchModePowerSupply(SMPS)	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFU420A	文件：2.68526 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ?EffectiveCossSpecified ?Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS ?SwitchModePowe	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU420A	文件：2.68622 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU420A	文件：345.43 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFU420A	文件：267.93 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?LowgateChargeQgresultsinsimpledrive requirement ?Improvedgate,avalancheanddynamicdV/dt ruggedness ?Fullycharacterizedcapacitanceand avalanchevoltageandcurrent ?EffectiveCossspecified ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFU420APBF	文件：167.69 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ?EffectiveCossSpecified ?Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS ?SwitchModePowerSupply(SMPS)	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFU420APBF	文件：225.03 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET(VDSS=500V,RDS(on)max=3.0廓,ID=3.3A) SMPSMOSFET Benefits ?LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ?EffectiveCOSSspecified(SeeAN1001) Applications ?SwitchModePowerSupply(SMPS)	IRF International Rectifier	IRF
IRFU420APBF	文件：2.68526 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ?EffectiveCossSpecified ?Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS ?SwitchModePowe	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU420APbF	文件：2.68622 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRFR420TRR
功能描述：
MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
RoHS：
否
類(lèi)別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
-
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類(lèi)型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IRFR420TRR	IR	24+	TO-252	36800		詢價(jià)
深圳市科雨電子有限公司	IRFR420TRR	VISHAY	1503+	TO-252	3000	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問(wèn)購(gòu)元件!	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IRFR420TRR	Vishay Siliconix	22+	TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC	9000	原廠渠道,現(xiàn)貨配單	詢價(jià)
深圳市芯福林電子科技有限公司	IRFR420TRR	Vishay Siliconix	21+	TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC	13880	公司只售原裝,支持實(shí)單	詢價(jià)
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	IRFR420TRR	Vishay Siliconix	23+	TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC	9000	原裝正品，支持實(shí)單	詢價(jià)
深圳市鵬順微電子科技有限公司	IRFR420TRR	Vishay Siliconix	2022+	TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片	38550	全新原裝支持表配單中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷(xiāo)	詢價(jià)
深圳市富芯樂(lè)電子科技有限公司	IRFR420TRR	IR	22+	SOT-3721&NBS	4500	全新原裝品牌專(zhuān)營(yíng)	詢價(jià)
深圳龐田科技有限公司	IRFR420TRR	IR	2023+環(huán)?，F(xiàn)貨	SOT252	20930	專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)等方案配套一站式服務(wù)	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	IRFR420TRR	IR	23+	TO-252	8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
天津市博通航睿技術(shù)有限公司	IRFR420TRR	IR	23+	TO-252	7000		詢價(jià)

更多IRFR420TRR供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-18 10:50:00

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