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IRFR2407TRPBF	文件：140.18 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFR2407TRR	文件：3.72412 Mbytes Page：10 Pages	SurfaceMount(IRFR2407)	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU2407	文件：129.34 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=75V,Rds(on)=0.026ohm,Id=42A?? Description SeventhGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellkn	IRF International Rectifier	IRF
IRFU2407	文件：3.72412 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET Description TheD-Pakisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thestraightleadversion(IRFUseries)isforthroughholemountingapplications.Powerdissipationlevelsupto1.5wattsarepossibleintypicalsurfacemountapplications. ?Surfa	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU2407	文件：3.72412 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	LUCKY-LIGHT Lucky Light Electronic	LUCKY-LIGHT
IRFU2407	文件：140.18 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFU2407	文件：3.72412 Mbytes Page：10 Pages	SurfaceMount(IRFR2407)	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU2407	文件：247.18 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFU2407PBF	文件：4.02405 Mbytes Page：10 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY Description SeventhGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellkn	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU2407PBF	文件：4.00895 Mbytes Page：10 Pages	SurfaceMount Description SeventhGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellkn	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU2407PBF	文件：385.68 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description SeventhGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellkn	IRF International Rectifier	IRF
KA2407	文件：157.44 Kbytes Page：4 Pages	LinearIntergratedCircuit	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
LM2407	文件：1.08347 Mbytes Page：13 Pages	MonolithicTriple7.5nSCRTDriver	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
LM2407	文件：361.99 Kbytes Page：9 Pages	MonolithicTriple7.5nSCRTDriver	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導體美國國家半導體公司	NSC
LM2407T	文件：361.99 Kbytes Page：9 Pages	MonolithicTriple7.5nSCRTDriver	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導體美國國家半導體公司	NSC
M2407	文件：409.82 Kbytes Page：4 Pages	28(7/36)AWGTinnedCopper	ALPHAWIREAlpha Wire 阿爾法電線	ALPHAWIRE
MC2407	文件：95.78 Kbytes Page：3 Pages	OpenCarrierDouble-BalancedMixerForMicrowaveTelecommunications Description TheMC2407isadoublebalancedmixer,designedforuseinmilitary,commercialandtestequipmentapplications.ThedesignutilizesSchottkyringquaddiodesandbroadbandsoftdielectricandferritebalunstoattainexcellentperformance.Thismixercanalsobeusedasaphasedet	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM
MC2407	文件：244.97 Kbytes Page：3 Pages	OpenCarrierDouble-BalancedMixerForMicrowaveTelecommunications	MACOM Tyco Electronics	MACOM
MGF2407	文件：87.09 Kbytes Page：2 Pages	MICROWAVEPOWERGaAsFET? DESCRIPTION TheMGF2407A,powerGaAsFETwithanN-channelschottkygate,isdesignedforuseinStoKubandamplifiers. APPLICATION StoKubandpoweramplifiers.	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱電機三菱電機株式會社	Mitsubishi
MGF2407A	文件：369.05 Kbytes Page：3 Pages	MICROWAVEPOWERGaAsFET? DESCRIPTION TheMGF2407A,powerGaAsFETwithanN-channelschottkygate,isdesignedforuseinStoKubandamplifiers. APPLICATION StoKubandpoweramplifiers.	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱電機三菱電機株式會社	Mitsubishi

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詳細參數(shù)

型號：
IRFR2407TRLPBF
功能描述：
MOSFET MOSFT 75V 42A 26mOhm 74nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市雅芯通科技有限公司	IRFR2407TRLPBF	INFINEON/英飛凌	24+	N/A	5000	只做正品原裝現(xiàn)貨	詢價
深圳市高捷芯城科技有限公司	IRFR2407TRLPBF	Infineon(英飛凌)	23+	TO-252	9908	支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。	詢價
深圳市匯萊威科技有限公司	IRFR2407TRLPBF	IR	24+	TO-252	500901	免費送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系	詢價
深圳市中福國際管理有限公司	IRFR2407TRLPBF	INFINEON/英飛凌	23+	TO-252	360000	專業(yè)供應MOS/LDO/晶體管/有大量價格低	詢價
深圳市鑫宇楊電子科技有限公司	IRFR2407TRLPBF	IR	2020+	TO-252	350000	100%進口原裝正品公司現(xiàn)貨庫存	詢價
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