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IRFPG30

Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=5.0ohm, Id=3.1A)

Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. ?DynamicdV/dtRating ?RepetitiveAvalancheRated ?IsolatedCentralMountingHole ?Fast

IRF

International Rectifier

IRFPG30

Power MOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelspreclude

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRFPG30

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRFPG30PBF

HEXFET? Power MOSFET

Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. ?DynamicdV/dtRating ?RepetitiveAvalancheRated ?IsolatedCentralMountingHole ?Fast

IRF

International Rectifier

IRFPG30PBF

Power MOSFET

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VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRFPG30_V01

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRFPG30PBF

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IRFPG30

  • 功能描述：

    MOSFET N-Chan 1000V 3.1 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
24+
TO-247AC
8866
詢價
IR
2015+
SOP/DIP
19889
一級代理原裝現(xiàn)貨,特價熱賣!
 詢價
IR
9848
25
原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu)
 詢價
IR
2016+
TO-247
6528
房間原裝進口現(xiàn)貨假一賠十
 詢價
IR
23+
TO-247AC
19526
詢價
IR
23+
TO-247AC
7600
全新原裝現(xiàn)貨
 詢價
IR
2015+
TO-247AC
12500
全新原裝,現(xiàn)貨庫存長期供應
 詢價
IR
23+
TO-3P
5000
原裝正品,假一罰十
 詢價
IRF
23+
NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
 詢價
IR
23+
原廠封裝
9888
專做原裝正品,假一罰百!
 詢價
更多IRFPG30供應商 更新時間2025-3-20 16:30:00

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