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IRFP350A	文件：232.47 Kbytes Page：7 Pages	Advanced Power MOSFET FEATURES ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=400V ?LowRDS(ON):0.254?(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRFP350A	文件：67.82 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION ?Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneralpurposeapplications. FEATURES ?DrainCurrent–ID=17A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage- :VDSS=400V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.3Ω(Max) ?FastSwitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFP350FI	文件：70.04 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFP350LC	文件：333.88 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=400V,Rds(on)=0.30ohm,Id=16A) Description ThisnewseriesofLowChargeHEXFETPowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargeoverconventionalMOSFETs.UtilizingadvancedHexfettechnologythedeviceimprovementsallowforreducedgatedriverequirements,fasterswitchingspeedsandincreasedtotalsystemsavings.The	IRF International Rectifier	IRF
IRFP350LC	文件：1.98549 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP350LC	文件：409.62 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFP350LC	文件：1.33852 Mbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP350LC	文件：1.34866 Mbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Ultralowgatecharge ?Reducedgatedriverequirement ?Enhanced30VGSrating ?ReducedCiss,Coss,Crss ?Isolatedcentralmountinghole ?DynamicdV/dtrated ?Repetitiveavalancherated ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP350LCPBF	文件：1.98549 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP350LCPBF	文件：1.33852 Mbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP350PBF	文件：891.45 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFP350PBF	文件：1.56932 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP350PBF	文件：1.61166 Mbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP350R	文件：67.82 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFS350	文件：265.22 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFS350A	文件：231.97 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=400V ?LowRDS(ON):0.254?(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRFS350A	文件：64.65 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ?Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneralpurposeapplications. FEATURES ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
ISCNH350B	文件：344.81 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFH350	文件：295.27 Kbytes Page：8 Pages	HIPERFETPowerMOSFTETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Corporation	IXYS
J350D	文件：886.77 Kbytes Page：23 Pages	DisconnectableCrimpstyleconnectors(Wire-to-board/Wire-to-wire) Features–––––––––––––––––––––––– ?Double-springconstruction Forsuperiorcontactreliability,thereceptaclecontacthasa double-springconstructionconsistingofamainspringanda contactpressureadjustmentspring. Inaddition,aspringstopperisincorporatedintheconnectorto fac	JSTJST Mfg. Co., Ltd. JST集團(tuán)日本圧著端子製造株式會(huì)社	JST

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRFP350A
功能描述：
MOSFET 400V N-Channel A-FET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IRFP350A	IR	17+	TO-247AC	31518	原裝正品可含稅交易	詢價(jià)
深圳市高捷芯城科技有限公司	IRFP350A	onsemi(安森美)	23+	TO-3P	7793	支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫(kù)存。	詢價(jià)
深圳市明嘉萊科技有限公司	IRFP350A	IR	24+	TO 3P	160987	明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市星佑電子有限公司	IRFP350A	仙童	06+	TO-247	3000	原裝庫(kù)存	詢價(jià)
深圳市昌和盛利電子有限公司	IRFP350A	FAIRCHILD	23+	TO-3P	9526		詢價(jià)
深圳市歐立現(xiàn)代科技有限公司	IRFP350A	ir	24+	N/A	6980	原裝現(xiàn)貨,可開13%稅票	詢價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	IRFP350A	FAIRCHILD	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
深圳市賽爾通科技有限公司	IRFP350A	FAI	23+		65480		詢價(jià)
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深圳市億智騰科技有限公司	IRFP350A		24+	TO-3P	6430	原裝現(xiàn)貨/歡迎來(lái)電咨詢	詢價(jià)

更多IRFP350A供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-23 14:00:00

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