首頁 >IRFL110TRPBF>規(guī)格書列表

零件編號下載 訂購功能描述/絲印制造商 上傳企業(yè)LOGO

IRFL110TRPBF

Power MOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES ?SurfaceMount ?AvailableinTapeandReel ?DynamicdV/dtRating ?Repetitive

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRFL110TRPBF

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?TrenchFET?PowerMOSFETs ?175°CMaximumJunctionTemperature ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

IRFL110TRPBFA

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRFL110TRPBF-BE3AB

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRFM110A

AdvancedPowerMOSFET

FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ■LowerRDS(ON):0.289Ω(Typ.)

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

IRFQ110

QUADN-CHANNELENHANCEMENTMOSFETS

SEME-LAB

Seme LAB

IRFR110

4.7A,100V,0.540Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs

4.7A,100V,0.540Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.TheseadvancedpowerMOSFETsaredesignedforuse

Intersil

Intersil Corporation

IRFR110

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Power

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRFR110

DynamicdV/dtRatingRepetitiveAvalancheRated

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRFR110

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

詳細參數

  • 型號：

    IRFL110TRPBF

  • 功能描述：

    MOSFET N-Chan 100V 1.5 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
VISHAY
2020+
SOT-223
9600
百分百原裝正品 真實公司現貨庫存 本公司只做原裝 可
 詢價
英飛凌
23+
N/A
10000
正規(guī)渠道,只有原裝!
 詢價
Vishay(威世)
23+
標準封裝
8048
原廠直銷,大量現貨庫存,交期快。價格優(yōu),支持賬期
 詢價
VISHAY
15+
原廠原裝
35000
進口原裝現貨假一賠十
 詢價
IR/VISHAY
SOT223
30216
提供BOM表配單TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S
 詢價
VISHAY
2020+
SOT-223
8000
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增
 詢價
VISHAY
1604CN
SOT-223
2500
原廠直銷
 詢價
VISHAY
2021+
SOT-223
9450
原裝現貨。
 詢價
IR
24+
SOT-223
20000
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢價
VISHAY/威世
2021+
SOT-223
12000
勤思達 只做原裝 現貨庫存
 詢價
更多IRFL110TRPBF供應商 更新時間2025-2-13 14:08:00

相關規(guī)格書

更多

相關庫存

更多