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IRFIBF30G

Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=3.7ohm, Id=1.9A)

Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. ?IsolatedPackage ?HighVoltageIsolation=2.5KVRMS ?SinktoLeadCreepageDis.=4.8mm

IRF

International Rectifier

IRFIBF30G

Power MOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRFIBF30GPBF

HEXFET Power MOSFET

Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. ?IsolatedPackage ?HighVoltageIsolation=2.5KVRMS ?SinktoLeadCreepageDis.=4.8mm

IRF

International Rectifier

IRFIBF30GPBF

Power MOSFET

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VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IRFIBF30G

  • 功能描述：

    MOSFET N-Chan 900V 1.9 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
VISHAY/威世
24+
TO-220F
177
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢價
IR
23+
TO-220F
9896
詢價
IR
2015+
TO-220F
12500
全新原裝,現(xiàn)貨庫存長期供應
 詢價
IR
06+
TO-220
4000
全新原裝 絕對有貨
 詢價
IR
24+
TO-220F
200
詢價
IR
2016+
TO220
6000
公司只做原裝,假一罰十,可開17%增值稅發(fā)票!
 詢價
IR
2020+
TO220
18600
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
 詢價
IR
23+
TO-220
5000
原裝正品,假一罰十
 詢價
IR
23+
TO-220F
11206
全新原裝
 詢價
IRF
23+
NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
 詢價
更多IRFIBF30G供應商 更新時間2024-10-26 16:36:00

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