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IRFE210	文件：202.29 Kbytes Page：7 Pages	REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET-R??RANSISTORS SURFACE MOUNT (LCC-18) REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATED HEXFET?TRANSISTORS SURFACEMOUNT(LCC-18) Theleadlesschipcarrier(LCC)packagerepresentsthelogicalnextstepinthecontinualevolutionofsurfacemounttechnology.DesingedtobeaclosereplacementfortheTO-39package,theLCCwillgivedesigners	IRF International Rectifier	IRF
IRFE210	文件：161.95 Kbytes Page：7 Pages	Simple Drive Requirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFE210_15	文件：161.95 Kbytes Page：7 Pages	Simple Drive Requirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFF210	文件：325.79 Kbytes Page：7 Pages	2.2A,200V,1.500Ohm,N-ChannelPowerMOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFF210	文件：130.84 Kbytes Page：7 Pages	REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATEDHEXFET??RANSISTORSTHRU-HOLE(TO-205AF) TheHEXFET?technologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance. TheHEXFETtransistorsalsofe	IRF International Rectifier	IRF
IRFF210	文件：16.64 Kbytes Page：1 Pages	N-ChannelMOSFETinaHermeticallysealedTO39 N-ChannelMOSFETinaHermeticallysealedTO39MetalPackage. N-ChannelMOSFET. VDSS=200V ID=2.25A RDS(ON)=1.5?	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFL210	文件：182.25 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)=1.5ohm,Id=0.96A) VDSS=200V,RDS(on)=1.5Ohm,ID=0.96A	IRF International Rectifier	IRF
IRFL210	文件：1.06848 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtec	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFL210	文件：1.58503 Mbytes Page：7 Pages	SurfaceMount	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFL210	文件：171.96 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Surface-mount ?Availableintapeandreel ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdg	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFL210PBF	文件：782.91 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET?PowerMOSFET VDSS=200V,RDS(on)=1.5Ohm,ID=0.96A Lead-Free	IRF International Rectifier	IRF
IRFL210PBF	文件：1.06848 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtec	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFL210TR	文件：1.06848 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtec	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFL210TRPBF	文件：1.06848 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtec	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFL210TRPBF	文件：1.81988 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel200V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
IRFL210TRPBFA	文件：171.96 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFM210	文件：705.26 Kbytes Page：8 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRFM210A	文件：269.52 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET(200V,1.5ohm,0.77A) FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=200V ■LowRDS(ON):1.169Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRFM210B	文件：705.26 Kbytes Page：8 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRFNL210B	文件：680.04 Kbytes Page：8 Pages	200VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRFE210
制造商：
International Rectifier
功能描述：
TRANS MOSFET N-CH 200V 2.25A 18PIN LCC - Bulk

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市永貝爾科技有限公司	IRFE210	IRF	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IRFE210	IR	22+	LCC18	6000	終端可免費(fèi)供樣,支持BOM配單	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	IRFE210	IR	23+	LCC18	8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
天津市博通航睿技術(shù)有限公司	IRFE210	IR	23+	LCC18	7000		詢價(jià)
深圳市航宇科工半導(dǎo)體有限公司	IRFE220	CHINA	22+	LCC-18	640	航宇科工半導(dǎo)體-央企合格優(yōu)秀供方!	詢價(jià)
深圳市賽芯源科技有限公司	IRFE230	IR	2017+	LCC18	689	原裝正品,誠信經(jīng)營	詢價(jià)
深圳市維爾達(dá)電子有限公司	IRFE230	IR	2023+	LCC	80000	一級代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢十年芯程一路只做原裝正品	詢價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	IRFE230	CHINA	23+	LCC-18	10000	原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價(jià)格優(yōu)勢、品種	詢價(jià)
深圳市力拓輝電子有限公司	IRFE230		22+		5000		詢價(jià)
深圳市宇集芯電子有限公司	IRFE330	IR	24+	N/A	90000	原廠正規(guī)渠道現(xiàn)貨、保證原裝正品價(jià)格合理	詢價(jià)

更多IRFE210供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-4 9:02:00

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