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IRFD9210PBF規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
The HEXFET technology is the key to International Rectifiers advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of the Power HEXFET design archieve very low on-state resistance combined with high transconductance and extreme device ruggedness.
? Dynamic dV/dt Rating
? Repetitive Avalanche Rated
? For Automatic Insertion
? End Stackable
? P-Channel
? Fast Switching
? Ease of Paralleling
? Lead-Free
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRFD9210PBF
- 功能描述：
MOSFET P-Chan 200V 0.4 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
24+ |
DIP4 |
8000 |
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 | ||
IR |
2022+ |
DIP-4 |
8600 |
英瑞芯只做原裝正品 |
詢價 | ||
VISHAY(威世) |
24+ |
HVMDIP-4 |
9555 |
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。 |
詢價 | ||
IR |
22+ |
DIP4 |
8000 |
原裝正品支持實單 |
詢價 | ||
IR |
2023+ |
SMD |
1972 |
十五年行業(yè)誠信經(jīng)營,專注全新正品 |
詢價 | ||
VISHAY |
24+ |
DIP4 |
4000 |
原裝原廠代理 可免費送樣品 |
詢價 | ||
23+ |
DIP4 |
19526 |
專注原裝正品現(xiàn)貨特價中量大可定 |
詢價 | |||
VISHAY |
23+ |
DIP-4 |
28000 |
原裝正品 |
詢價 | ||
VISHAY/威世 |
22+ |
DIP-4 |
18000 |
只做全新原裝,支持BOM配單,假一罰十 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
DIP-4 |
7000 |
詢價 |
