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IRFD9210PBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRFD9210PBF規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
The HEXFET technology is the key to International Rectifiers advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of the Power HEXFET design archieve very low on-state resistance combined with high transconductance and extreme device ruggedness.
? Dynamic dV/dt Rating
? Repetitive Avalanche Rated
? For Automatic Insertion
? End Stackable
? P-Channel
? Fast Switching
? Ease of Paralleling
? Lead-Free
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRFD9210PBF
- 功能描述：
MOSFET P-Chan 200V 0.4 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
NA/ |
2251 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
VISHAY |
2020+ |
DIP4 |
8000 |
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 | ||
VISHAY(威世) |
23+ |
HVMDIP4 |
6000 |
誠信服務，絕對原裝原盤 |
詢價 | ||
VISHAY |
23+ |
DIP-4 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 | ||
VISHAY/IR |
16+ |
DIP4 |
1326 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
IR |
21+ |
DIP-4 |
10000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價 | ||
VISHAY |
23+ |
DIP-4 |
28000 |
原裝正品 |
詢價 | ||
IR |
22+ |
DIP4 |
8000 |
原裝正品支持實單 |
詢價 | ||
Vishay Siliconix |
22+ |
4DIP |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 | ||
IR |
DIP-4 |
68900 |
原包原標簽100%進口原裝常備現(xiàn)貨! |
詢價 |
