IRFD9110中文資料HARRIS數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
IRFD9110規(guī)格書詳情
Description
These are P-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistor is an advanced power MOSFET designed, tested, and guaranteed to withstand a specified level of energy in the breakdown avalanche mode of operation.
Features
? -0.6A and -07A, -80V and -100V
? rDS(ON) = 1.2? and 1.6Ω
? Single Pulse Avalanche Energy Rated
? SOA is Power Dissipation Limited
? Nanosecond Switching Speeds
? Linear Transfer Characteristics
? High Input Impedance
? Related Literature
- TB334, Guldelines for Soldering Surface Mount
Components to PC Boards
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRFD9110
- 功能描述：
MOSFET P-Chan 100V 0.7 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
NA/ |
800 |
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價(jià) | ||
IR |
2046+ |
9852 |
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十! |
詢價(jià) | |||
IR |
24+ |
DIP4 |
6430 |
原裝現(xiàn)貨/歡迎來電咨詢 |
詢價(jià) | ||
Vishay Siliconix |
22+ |
4DIP |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | ||
IR |
16+ |
原廠封裝 |
1133 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價(jià) | ||
IR/HARRIS |
23+ |
原裝正品現(xiàn)貨 |
10000 |
DIP4 |
詢價(jià) | ||
IR |
2023+ |
80000 |
一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品 |
詢價(jià) | |||
SILICONIXVISHAY |
24+ |
NA |
5200 |
原裝現(xiàn)貨,專業(yè)配單專家 |
詢價(jià) | ||
IR |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒號(hào)只做原裝 現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng) |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
N/A |
8000 |
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售 |
詢價(jià) |
