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IRFD224中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IRFD224
廠商型號(hào)

IRFD224

功能描述

Power MOSFET

文件大小

1.11815 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-13 11:32:00

IRFD224規(guī)格書(shū)詳情

VDS (V) 250

RDS(on) (Ω) VGS = 10 V 1.1

Qg (Max.) (nC) 14

Qgs (nC) 2.7

Qgd (nC) 7.8

Configuration Single

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The 4 pin DIP package is a low cost machine-insertiable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1 pin centers. The dual drain serveres as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to 1 W.

FEATURES

? Dynamic dV/dt Rating

? Repetitive Avalanche Rated

? For Automatic Insertion

? End Stackable

? Fast Switching

? Ease of Paralleling

? Simple Drive Requirements

? Lead (Pb)-free

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRFD224

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門(mén)

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
Vishay Siliconix
21+
4DIP
13880
公司只售原裝,支持實(shí)單
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IR
2020+
DIP-4
80000
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增
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一級(jí)代理,專注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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DIP-4P
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