IRFD110中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

廠商型號(hào) |
IRFD110 |
功能描述 | Power MOSFET |
文件大小 |
132.41 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
8 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | Vishay Siliconix |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Vishay【威世科技】 |
中文名稱 | 威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-4-9 20:00:00 |
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DESCRIPTION
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
The 4 pin DIP package is a low cost machine-insertable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1 pin centers. The dual drain serves as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to 1 W.
FEATURES
? Dynamic dV/dt Rating
? Repetitive Avalanche Rated
? For Automatic Insertion
? End Stackable
? 175 °C Operating Temperature
? Fast Switching and Ease of Paralleling
? Lead (Pb)-free Available
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
IRFD110
- 功能描述:
MOSFET 100V Single N-Channel HEXFET
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FUJITSU/富士通 |
24+ |
NA/ |
135 |
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詢價(jià) | ||
IOR |
24+ |
CDIP4 |
20000 |
全新原廠原裝,進(jìn)口正品現(xiàn)貨,正規(guī)渠道可含稅!! |
詢價(jià) | ||
IR |
2018+ |
HD-1 |
26976 |
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詢價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
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詢價(jià) | ||
IR |
24+/25+ |
27 |
原裝正品現(xiàn)貨庫(kù)存價(jià)優(yōu) |
詢價(jià) | |||
VISHAY/威世 |
24+ |
HVMDIP- |
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大批量供應(yīng)優(yōu)勢(shì)庫(kù)存熱賣 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
DIP-4 |
9896 |
詢價(jià) | |||
IRF |
2020+ |
DIP4 |
140 |
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存 本公司只做原裝 可 |
詢價(jià) | ||
VISH |
24+ |
SMD |
50 |
“芯達(dá)集團(tuán)”專營(yíng)軍工百分之百原裝進(jìn)口 |
詢價(jià) |