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IRFM9240	文件：190.74 Kbytes Page：7 Pages	POWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-254AA) HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.HEXFETtransistorsalsofeatureallofthewell-establishedadvantagesofMOSFETs,s	IRF International Rectifier	IRF
IRFM9240	文件：240.17 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFM9240	文件：579.87 Kbytes Page：2 Pages	POWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-254AA)	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IRFN9240	文件：215.48 Kbytes Page：6 Pages	POWERMOSFETN-CHANNEL(BVdss=-200V,Rds(on)=0.51ohm,Id=-11A) RDS(on)0.51? ID-11A HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.HEXFETtransistorsalsofeatureallofthewell-establis	IRF International Rectifier	IRF
IRFN9240	文件：29.24 Kbytes Page：2 Pages	P??HANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFN9240	文件：184.66 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFN9240SMD	文件：23.63 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFP9240	文件：158.98 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES ?LowRDS(on) ?ImprovedInductiveruggedness ?Fastswitchingtimes ?Ruggedpolysllicongatecellstructure ?LowInputcapacitance ?Extendedsafeoperatingarea ?Improvedhightemperaturereliability	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IRFP9240	文件：1.77375 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheTO-247ACpackageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelspreclude	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP9240	文件：508.31 Kbytes Page：12 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES ?LowRDS(on) ?Improvedinductiveruggedness ?Fsatswitchingtimes ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Lowinputcapacitance ?Extendedsafeoperatingarea ?Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
IRFP9240	文件：56.43 Kbytes Page：7 Pages	12A,200V,0.500Ohm,P-ChannelPowerMOSFET ThisP-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFP9240	文件：166.13 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-200V,Rds(on)=0.50ohm,Id=-12A) DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevels	IRF International Rectifier	IRF
IRFP9240	文件：158.98 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES ?LowRDS(on) ?ImprovedInductiveruggedness ?Fastswitchingtimes ?Ruggedpolysllicongatecellstructure ?LowInputcapacitance ?Extendedsafeoperatingarea ?Improvedhightemperaturereliability	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IRFP9240	文件：1.83546 Mbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP9240	文件：372.65 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=-12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=-200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.5Ω(Max)@VGS=-10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFP9240	文件：328.75 Kbytes Page：2 Pages	P-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.5Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·DC-DCConverters ·MotorDrive ·PowerSwitch	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFP9240PBF	文件：1.77375 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheTO-247ACpackageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelspreclude	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP9240PBF	文件：759.29 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET?PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevels	IRF International Rectifier	IRF
IRFP9240PBF	文件：1.83546 Mbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP9240R	文件：178.21 Kbytes Page：2 Pages	Avalanche-Energy-RatedP-ChannelPowerMOSFETs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRFC9240
制造商：
Vishay Semiconductors
功能描述：
MOSFET P-CHANNEL 200V - Bulk

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IRFC9240	IR	22+		6000	終端可免費(fèi)供樣,支持BOM配單	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	IRFC9240	IR	23+		8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
天津市博通航睿技術(shù)有限公司	IRFC9240	IR	23+		7000		詢價(jià)
深圳市賽爾通科技有限公司	IRFCM2400		23+		65480		詢價(jià)
深圳市力通偉業(yè)半導(dǎo)體有限公司	IRFCOD1A01TR(ALCATEL2440)		99	TSOP	1110	特價(jià)熱銷現(xiàn)貨庫存100%原裝正品歡迎來電訂購!	詢價(jià)
深圳市星佑電子有限公司	IRFD010	IR	05+	原廠原裝	4340	只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)	詢價(jià)
深圳市昌和盛利電子有限公司	IRFD010	IR	23+	DIP-4	8238		詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IRFD010	IOR	24+	DIP-4P	158		詢價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	IRFD010	IR	23+	DIP-4	3100	全新原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市卓越微芯電子有限公司	IRFD010	雷達(dá)	2020+	DIP-4	5200	百分百原裝正品真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存本公司只做原裝可	詢價(jià)

更多IRFC9240供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-2 14:00:00

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