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IRFM450	文件：15.97 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFM450	文件：181.56 Kbytes Page：7 Pages	POWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-254AA) HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance. Features: ■SimpleDriveRequirements ■EaseofParalleling ■HermeticallySeale	IRF International Rectifier	IRF
IRFM450	文件：182.42 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFMA450	文件：163.6 Kbytes Page：7 Pages	POWERMOSFETTHRU-HOLE(TablessTO-254AA)	IRF International Rectifier	IRF
IRFMA450	文件：166.88 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFN450	文件：218.18 Kbytes Page：6 Pages	POWERMOSFETN-CHANNEL(BVdss=500V,Rds(on)=0.415ohm,Id=12A) RDS(on)0.415? ID12A HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.HEXFETtransistorsalsofeatureallofthewell-establ	IRF International Rectifier	IRF
IRFN450	文件：184.1 Kbytes Page：7 Pages	POWERMOSFETSURFACEMOUNT(SMD-1) RDS(on)0.415? ID12A HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.HEXFETtransistorsalsofeatureallofthewell-establ	IRF International Rectifier	IRF
IRFN450	文件：185.29 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFP450	文件：90.99 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL500V-0.33ohm-14A-TO-247PowerMESH]MOSFET DESCRIPTION ThispowerMOSFETisdesignedusingthecompany’sconsolidatedstriplayout-basedMESHOVERLAY?process.Thistechnologymatchesandimprovestheperformancescomparedwithstandardpartsfromvarioussources. ■TYPICALRDS(on)=0.33? ■EXTREMELYHIGHdv/dtCAPABILITY ■100AVALA	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
IRFP450	文件：212.66 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
IRFP450	文件：55.81 Kbytes Page：7 Pages	14A,500V,0.400Ohm,N-ChannelPowerMOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFP450	文件：46.07 Kbytes Page：2 Pages	StandardPowerMOSFET-N-ChannelEnhancementMode N-ChannelEnhancementMode Features ?Internationalstandardpackages ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Lowpackageinductance(	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IRFP450	文件：1.54159 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelsprecludet	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP450	文件：169.8 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)=0.40ohm,Id=14A)	IRF International Rectifier	IRF
IRFP450	文件：67.82 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ?Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneralpurposeapplications. FEATURES ?DrainCurrent–ID=14A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.4Ω(Max) ?FastSwitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFP450	文件：410.95 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELPowerMESHMOSFET	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
IRFP450	文件：841.38 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL500V-0.33Q-14A-TO-247PowerMESH??MOSFET DESCRIPTION ThispowerMOSFETisdesignedusingthecompanysconsolidatedstriplayout-basedMESHOVERLAY1process.Thistechnologymatchesandimprovestheperformancescomparedwithstandardpartsfromvarioussources. .TYPICALRDS(on)=0.33Ω .EXTREMELYHIGHdv/dtCAPABILITY .100AVALANC	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IRFP450	文件：883.54 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP450	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類(lèi)制造商etc2未分類(lèi)制造商	etc2
IRFP450A	文件：101.61 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)max=0.40ohm,Id=14A) Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ●EffectiveCossSpecified(SeeAN1001) Applications ●SwitchModePowerSupply(SMPS) ●Uninterr	IRF International Rectifier	IRF

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRFC450BV
制造商：
Vishay Semiconductors
功能描述：
MOSFET N-CHANNEL 500V - Bulk

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IRFC450R	IR	22+		6000	終端可免費(fèi)供樣,支持BOM配單	詢(xún)價(jià)
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