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IRFBC40中文資料HARRIS數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRFBC40
廠商型號

IRFBC40

功能描述

6.2A and 5.4A, 600V, 1.2 and 1.6 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

文件大小

66.91 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Harris Corporation
企業(yè)簡稱

HARRIS

中文名稱

Harris Corporation

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-4-29 8:48:00

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IRFBC40規(guī)格書詳情

Description

These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors.

Features

? 6.2A and 5.4A, 600V

? rDS(ON) = 1.2? and 1.6?

? Repetitive Avalanche Energy Rated

? Simple Drive Requirements

? Ease of Paralleling

? Related Literature

- TB334, “Guidelines for Soldering Surface Mount

Components to PC Boards”

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRFBC40

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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